|
 |
Название электронного компонента: 1N5361B Описание 1N5361B: Glass passivated junction silicon zener diode. Power 5.0 Watt. Vz @ Izt = 27V, Izt = 50mA Производитель: PAJIT Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DO-201AE (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 1N5361B datasheet: 306Kb Скачать 1N5361B datasheet: 1N5361B.PDF |