Название электронного компонента: 1N5387B Описание 1N5387B: Glass passivated junction silicon zener diode. Power 5.0 Watt. Vz @ Izt = 190V, Izt = 5.0mA Производитель: PAJIT Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DO-201AE (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 1N5387B datasheet: 306Kb Скачать 1N5387B datasheet: 1N5387B.PDF |