|
 |
Название электронного компонента: BUK555-100B Описание BUK555-100B: PowerMOS transistor logic level FET, drain-source voltage=100V, drain current=22A, drain-source on-state resistance=0.11 Ohm Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUK555-100B datasheet: 54Kb Скачать BUK555-100B datasheet: BUK555-100B.PDF |