Название электронного компонента: IRF820 Описание IRF820: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A Производитель: SGS-Thomson Microelectronics Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF820 datasheet: 169Kb Скачать IRF820 datasheet: IRF820.PDF |