Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

IRF820 datasheet



datasheet for IRF820 by SGS-Thomson Microelectronics   Название электронного компонента: IRF820

Описание IRF820: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A

Производитель: SGS-Thomson Microelectronics

Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер IRF820 datasheet: 169Kb

Скачать IRF820 datasheet: IRF820.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024