|
 |
Название электронного компонента: IRF820FI Описание IRF820FI: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A Производитель: SGS-Thomson Microelectronics Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: ISOWATT220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF820FI datasheet: 169Kb Скачать IRF820FI datasheet: IRF820FI.PDF |