|
 |
Название электронного компонента: IRF822FI Описание IRF822FI: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A Производитель: SGS-Thomson Microelectronics Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: ISOWATT220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF822FI datasheet: 169Kb Скачать IRF822FI datasheet: IRF822FI.PDF |