|
 |
Название электронного компонента: IRF822 Описание IRF822: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.8A Производитель: SGS-Thomson Microelectronics Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF822 datasheet: 169Kb Скачать IRF822 datasheet: IRF822.PDF |