|
 |
Название электронного компонента: BUL52B Описание BUL52B: Advanced distributed base design high voltage high speed NPN silicon power transistor. Designed for use in electronic ballast applications. Производитель: MGNTC Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUL52B datasheet: 19Kb Скачать BUL52B datasheet: BUL52B.PDF |