|
 |
Название электронного компонента: BUZ900DP Описание BUZ900DP: N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 160V. Производитель: MGNTC Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-3PBL (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUZ900DP datasheet: 39Kb Скачать BUZ900DP datasheet: BUZ900DP.PDF |