|
 |
Название электронного компонента: BUZ900P Описание BUZ900P: N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 160V. Производитель: MGNTC Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUZ900P datasheet: 38Kb Скачать BUZ900P datasheet: BUZ900P.PDF |