|
 |
Название электронного компонента: BUZ900X4S Описание BUZ900X4S: N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 160V. Производитель: MGNTC Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT227 (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUZ900X4S datasheet: 33Kb Скачать BUZ900X4S datasheet: BUZ900X4S.PDF |