|
 |
Название электронного компонента: BUZ906DP Описание BUZ906DP: P-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage -200V. Производитель: MGNTC Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-3PBL (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUZ906DP datasheet: 39Kb Скачать BUZ906DP datasheet: BUZ906DP.PDF |