Название электронного компонента: BUZ908DP Описание BUZ908DP: P-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage -250V. Производитель: MGNTC Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-3PBL (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUZ908DP datasheet: 24Kb Скачать BUZ908DP datasheet: BUZ908DP.PDF |