|
 |
Название электронного компонента: MJE3055T Описание MJE3055T: NPN, silicon plastic power transistor. Designed for general-purpose switching and amplifier application. Vceo(sus) = 60Vdc, Vcb = 70Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 10Adc, Pd = 75W. Производитель: USHA Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MJE3055T datasheet: 48Kb Скачать MJE3055T datasheet: MJE3055T.PDF |