Название электронного компонента: MJE2955T Описание MJE2955T: PNP, silicon plastic power transistor. Designed for general-purpose switching and amplifier application. Vceo = 60Vdc, Vcb = 70Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 10Adc, PD = 75W. Производитель: USHA Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MJE2955T datasheet: 48Kb Скачать MJE2955T datasheet: MJE2955T.PDF |