Название электронного компонента: TIP35B Описание TIP35B: NPN, silicon high-power transistor. Designed for use in general-purpose switching and power amplifier applications. Vceo = 80Vdc, Vcb = 80Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 25Adc, PD = 125W. Производитель: USHA Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-218 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер TIP35B datasheet: 47Kb Скачать TIP35B datasheet: TIP35B.PDF |