Название электронного компонента: GS820H32T-4I Описание GS820H32T-4I: 117MHz 11ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM Производитель: GSITE Темп. диапазон: Min: -40°C | Max: 85°C Корпус и выводы: TQFP (Pins: 100) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер GS820H32T-4I datasheet: 342Kb Скачать GS820H32T-4I datasheet: GS820H32T-4I.PDF |