|
 |
Название электронного компонента: BS817 Описание BS817: 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor Производитель: DIODS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT-23 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BS817 datasheet: 58Kb Скачать BS817 datasheet: BS817.PDF |