|
 |
Название электронного компонента: TB1100M Описание TB1100M: 90V; 50A Bi-directional surface mount thyristor surge protective device. Oxide-glass passivated junction Производитель: DIODS Темп. диапазон: Min: -40°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SMB (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер TB1100M datasheet: 187Kb Скачать TB1100M datasheet: TB1100M.PDF |