Название электронного компонента: NTE3312 Описание NTE3312: Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch. Производитель: NTE Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер NTE3312 datasheet: 18Kb Скачать NTE3312 datasheet: NTE3312.PDF |