Название электронного компонента: NTE5810 Описание NTE5810: Silicon power rectifier diode. Cathode to case. Max repetitive peak reverse voltage 1200V. Average forward current 12A. Производитель: NTE Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 175°C Корпус и выводы: DO4 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер NTE5810 datasheet: 24Kb Скачать NTE5810 datasheet: NTE5810.PDF |