|
 |
Название электронного компонента: MJE18004D2 Описание MJE18004D2: High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network Производитель: ON Semiconductor Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MJE18004D2 datasheet: 466Kb Скачать MJE18004D2 datasheet: MJE18004D2.PDF |