|
 |
Название электронного компонента: MGP11N60E Описание MGP11N60E: Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Производитель: ON Semiconductor Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MGP11N60E datasheet: 120Kb Скачать MGP11N60E datasheet: MGP11N60E.PDF |