|
 |
Название электронного компонента: MGP21N60E Описание MGP21N60E: Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Производитель: ON Semiconductor Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MGP21N60E datasheet: 123Kb Скачать MGP21N60E datasheet: MGP21N60E.PDF |