Название электронного компонента: MGP4N60ED Описание MGP4N60ED: Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel Производитель: ON Semiconductor Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MGP4N60ED datasheet: 146Kb Скачать MGP4N60ED datasheet: MGP4N60ED.PDF |