Название электронного компонента: MGP7N60ED Описание MGP7N60ED: Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel Производитель: ON Semiconductor Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MGP7N60ED datasheet: 144Kb Скачать MGP7N60ED datasheet: MGP7N60ED.PDF |