|
 |
Название электронного компонента: MGW12N120D Описание MGW12N120D: Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel Производитель: ON Semiconductor Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MGW12N120D datasheet: 168Kb Скачать MGW12N120D datasheet: MGW12N120D.PDF |