|
 |
Название электронного компонента: MGW21N60ED Описание MGW21N60ED: Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel Производитель: ON Semiconductor Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MGW21N60ED datasheet: 152Kb Скачать MGW21N60ED datasheet: MGW21N60ED.PDF |