|
 |
Название электронного компонента: MGY20N120D Описание MGY20N120D: Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel Производитель: ON Semiconductor Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-3PBL (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MGY20N120D datasheet: 171Kb Скачать MGY20N120D datasheet: MGY20N120D.PDF |