|
 |
Название электронного компонента: W4TXE0X-0D00 Описание W4TXE0X-0D00: Diameter: 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition Производитель: CREE Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: Not available... (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер W4TXE0X-0D00 datasheet: 279Kb Скачать W4TXE0X-0D00 datasheet: W4TXE0X-0D00.PDF |