Название электронного компонента: PDTC123JT Описание PDTC123JT: 50 V, 100 mA, NPN resistor-equipped transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PDTC123JT datasheet: 56Kb Скачать PDTC123JT datasheet: PDTC123JT.PDF |