|
 |
Название электронного компонента: PHD11N03LT Описание PHD11N03LT: 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD11N03LT datasheet: 107Kb Скачать PHD11N03LT datasheet: PHD11N03LT.PDF |