Название электронного компонента: PHD11N06LT Описание PHD11N06LT: 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD11N06LT datasheet: 114Kb Скачать PHD11N06LT datasheet: PHD11N06LT.PDF |