Название электронного компонента: PHD18NQ10T Описание PHD18NQ10T: 100 V, N-channel trenchMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD18NQ10T datasheet: 121Kb Скачать PHD18NQ10T datasheet: PHD18NQ10T.PDF |