Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

PHD18NQ10T datasheet



datasheet for PHD18NQ10T by Philips Semiconductors   Название электронного компонента: PHD18NQ10T

Описание PHD18NQ10T: 100 V, N-channel trenchMOS transistor

Производитель: Philips Semiconductors

Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C

Корпус и выводы: SOT (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер PHD18NQ10T datasheet: 121Kb

Скачать PHD18NQ10T datasheet: PHD18NQ10T.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024