|
 |
Название электронного компонента: PHB18NQ10T Описание PHB18NQ10T: 100 V, N-channel trenchMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB18NQ10T datasheet: 121Kb Скачать PHB18NQ10T datasheet: PHB18NQ10T.PDF |