Название электронного компонента: PHD27NQ10T Описание PHD27NQ10T: 100 V, N-channel trenchMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD27NQ10T datasheet: 118Kb Скачать PHD27NQ10T datasheet: PHD27NQ10T.PDF |