|
 |
Название электронного компонента: PHD9NQ20T Описание PHD9NQ20T: 200 V, N-channel trenchMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD9NQ20T datasheet: 115Kb Скачать PHD9NQ20T datasheet: PHD9NQ20T.PDF |