Название электронного компонента: PHD83N03LT Описание PHD83N03LT: 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD83N03LT datasheet: 282Kb Скачать PHD83N03LT datasheet: PHD83N03LT.PDF |