|
 |
Название электронного компонента: PHB112N06T Описание PHB112N06T: 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB112N06T datasheet: 262Kb Скачать PHB112N06T datasheet: PHB112N06T.PDF |