Название электронного компонента: BUJ302A Описание BUJ302A: 1000 V, silicon diffused power transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUJ302A datasheet: 19Kb Скачать BUJ302A datasheet: BUJ302A.PDF |