Название электронного компонента: BUT11F Описание BUT11F: 850 V, silicon diffused power transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUT11F datasheet: 106Kb Скачать BUT11F datasheet: BUT11F.PDF |