|
 |
Название электронного компонента: BUT12F Описание BUT12F: 850 V, silicon diffused power transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUT12F datasheet: 78Kb Скачать BUT12F datasheet: BUT12F.PDF |