|
 |
Название электронного компонента: BUT12AF Описание BUT12AF: 1000 V, silicon diffused power transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUT12AF datasheet: 78Kb Скачать BUT12AF datasheet: BUT12AF.PDF |