|
 |
Название электронного компонента: BUT11XI Описание BUT11XI: 1000 V, silicon diffused power transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUT11XI datasheet: 69Kb Скачать BUT11XI datasheet: BUT11XI.PDF |