Название электронного компонента: BUT211X Описание BUT211X: 850 V, silicon diffused power transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BUT211X datasheet: 57Kb Скачать BUT211X datasheet: BUT211X.PDF |