|
 |
Название электронного компонента: IRF730 Описание IRF730: 400 V, Power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF730 datasheet: 59Kb Скачать IRF730 datasheet: IRF730.PDF |