Название электронного компонента: IRF830 Описание IRF830: 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF830 datasheet: 58Kb Скачать IRF830 datasheet: IRF830.PDF |