Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

IRF830 datasheet



datasheet for IRF830 by Philips Semiconductors   Название электронного компонента: IRF830

Описание IRF830: 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated

Производитель: Philips Semiconductors

Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: SOT (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер IRF830 datasheet: 58Kb

Скачать IRF830 datasheet: IRF830.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024