|
 |
Название электронного компонента: LBE2009S Описание LBE2009S: NPN microwave power transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LBE2009S datasheet: 78Kb Скачать LBE2009S datasheet: LBE2009S.PDF |