|
 |
Название электронного компонента: LTE42008R Описание LTE42008R: NPN microwave power transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LTE42008R datasheet: 78Kb Скачать LTE42008R datasheet: LTE42008R.PDF |