|
 |
Название электронного компонента: PHB2N50 Описание PHB2N50: 500 V, power MOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: SOT (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHB2N50 datasheet: 59Kb Скачать PHB2N50 datasheet: PHB2N50.PDF |